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晶體缺陷就是實(shí)際晶體中偏離理想結(jié)構(gòu)的不完整區(qū)域。

根據(jù)晶體中結(jié)構(gòu)不完整區(qū)域的形狀及大小, 晶體缺陷常分為如下三類(lèi):

①脫位原子一般進(jìn)入其他空位或者逐漸遷移至晶界或表面，這樣的空位通常稱(chēng)為肖脫基空位或肖脫基缺陷。

②晶體中的原子有可能擠入結(jié)點(diǎn)的間隙，則形成另一種類(lèi)型的點(diǎn)

缺陷---間隙原子，同時(shí)原來(lái)的結(jié)點(diǎn)位置也空缺了，產(chǎn)生另一個(gè)空位，通常把這一對(duì)點(diǎn)缺陷（空位和間隙原子）稱(chēng)為弗蘭克爾缺陷。

③置換原子缺陷等類(lèi)型

點(diǎn)缺陷類(lèi)型動(dòng)圖：

離子晶體的點(diǎn)缺陷

④離子晶體中點(diǎn)缺陷要求保持局部電中性，常見(jiàn)的兩種點(diǎn)缺陷：

肖脫基缺陷：等量的正離子空位和負(fù)離子空位。

弗蘭克爾缺陷：等量的間隙原子、空位。

離子晶體中的點(diǎn)缺陷動(dòng)圖：

⑤點(diǎn)缺陷源于原子的熱振動(dòng)，故其平衡濃度隨著溫度升高指數(shù)增加。

點(diǎn)缺陷數(shù)量明顯超過(guò)平衡值時(shí)叫過(guò)飽和點(diǎn)缺陷，產(chǎn)生原因?yàn)榇慊稹⑤椪?、冷塑性變形?/p>

①刃型位錯(cuò)一晶體中半原子面邊緣周?chē)脑游恢缅e(cuò)排區(qū)。

刃位錯(cuò)的形成動(dòng)圖：

②螺型位錯(cuò)——晶體中螺旋原子面軸線(xiàn)周?chē)脑游恢缅e(cuò)排區(qū)。

螺位錯(cuò)的形成動(dòng)圖：

③混合位錯(cuò)——原子位置錯(cuò)拝區(qū)中既有半原子面也有螺旋原子面的位錯(cuò)。

混合位錯(cuò)動(dòng)圖：

④位錯(cuò)的滑移

刃位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)動(dòng)圖：

螺位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)動(dòng)圖：

⑤位錯(cuò)的攀移

攀移運(yùn)動(dòng)動(dòng)圖：

攀移的原子模型：

⑥伯氏矢量的確定

先在有位錯(cuò)的晶體中用一閉合回路包圍位錯(cuò)線(xiàn)，回路應(yīng)遠(yuǎn)離位錯(cuò)中心晶格嚴(yán)重畸變區(qū)。再在理想晶體中作一相同回路，但該回路的終點(diǎn)與起點(diǎn)并不重合。從終點(diǎn)向起點(diǎn)作一矢量使兩點(diǎn)相連，該矢量定義為該位錯(cuò)的柏氏矢量。

伯氏矢量的確定動(dòng)圖：

有晶界、孿晶界、相界、表面等分類(lèi)。

孿晶界動(dòng)圖：

扭轉(zhuǎn)晶界的形成動(dòng)圖：